Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQPF11P06

FQPF11P06

MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
Číslo dílu
FQPF11P06
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F
Ztráta energie (max.)
30W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
175 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36258 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQPF11P06
FQPF11P06 Elektronické komponenty
FQPF11P06 Odbyt
FQPF11P06 Dodavatel
FQPF11P06 Distributor
FQPF11P06 Datová tabulka
FQPF11P06 Fotky
FQPF11P06 Cena
FQPF11P06 Nabídka
FQPF11P06 Nejnižší cena
FQPF11P06 Vyhledávání
FQPF11P06 Nákup
FQPF11P06 Chip