Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQP3N30

FQP3N30

MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
Číslo dílu
FQP3N30
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
55W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6745 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQP3N30
FQP3N30 Elektronické komponenty
FQP3N30 Odbyt
FQP3N30 Dodavatel
FQP3N30 Distributor
FQP3N30 Datová tabulka
FQP3N30 Fotky
FQP3N30 Cena
FQP3N30 Nabídka
FQP3N30 Nejnižší cena
FQP3N30 Vyhledávání
FQP3N30 Nákup
FQP3N30 Chip