Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQP13N50C_F105

FQP13N50C_F105

IC POWER MANAGEMENT
Číslo dílu
FQP13N50C_F105
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
195W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
480 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2055pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21985 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQP13N50C_F105
FQP13N50C_F105 Elektronické komponenty
FQP13N50C_F105 Odbyt
FQP13N50C_F105 Dodavatel
FQP13N50C_F105 Distributor
FQP13N50C_F105 Datová tabulka
FQP13N50C_F105 Fotky
FQP13N50C_F105 Cena
FQP13N50C_F105 Nabídka
FQP13N50C_F105 Nejnižší cena
FQP13N50C_F105 Vyhledávání
FQP13N50C_F105 Nákup
FQP13N50C_F105 Chip