Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI17N08LTU

FQI17N08LTU

MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
Číslo dílu
FQI17N08LTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24230 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQI17N08LTU
FQI17N08LTU Elektronické komponenty
FQI17N08LTU Odbyt
FQI17N08LTU Dodavatel
FQI17N08LTU Distributor
FQI17N08LTU Datová tabulka
FQI17N08LTU Fotky
FQI17N08LTU Cena
FQI17N08LTU Nabídka
FQI17N08LTU Nejnižší cena
FQI17N08LTU Vyhledávání
FQI17N08LTU Nákup
FQI17N08LTU Chip