Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI13N50CTU

FQI13N50CTU

MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
Číslo dílu
FQI13N50CTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
195W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
480 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2055pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24596 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQI13N50CTU
FQI13N50CTU Elektronické komponenty
FQI13N50CTU Odbyt
FQI13N50CTU Dodavatel
FQI13N50CTU Distributor
FQI13N50CTU Datová tabulka
FQI13N50CTU Fotky
FQI13N50CTU Cena
FQI13N50CTU Nabídka
FQI13N50CTU Nejnižší cena
FQI13N50CTU Vyhledávání
FQI13N50CTU Nákup
FQI13N50CTU Chip