Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI13N06LTU

FQI13N06LTU

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
Číslo dílu
FQI13N06LTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25240 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQI13N06LTU
FQI13N06LTU Elektronické komponenty
FQI13N06LTU Odbyt
FQI13N06LTU Dodavatel
FQI13N06LTU Distributor
FQI13N06LTU Datová tabulka
FQI13N06LTU Fotky
FQI13N06LTU Cena
FQI13N06LTU Nabídka
FQI13N06LTU Nejnižší cena
FQI13N06LTU Vyhledávání
FQI13N06LTU Nákup
FQI13N06LTU Chip