FQD7P20TM
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Číslo dílu
FQD7P20TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
690 mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18668 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD7P20TM
FQD7P20TM Elektronické komponenty
FQD7P20TM Odbyt
FQD7P20TM Dodavatel
FQD7P20TM Distributor
FQD7P20TM Datová tabulka
FQD7P20TM Fotky
FQD7P20TM Cena
FQD7P20TM Nabídka
FQD7P20TM Nejnižší cena
FQD7P20TM Vyhledávání
FQD7P20TM Nákup
FQD7P20TM Chip