FQD7N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
Číslo dílu
FQD7N30TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
700 mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35171 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD7N30TM
FQD7N30TM Elektronické komponenty
FQD7N30TM Odbyt
FQD7N30TM Dodavatel
FQD7N30TM Distributor
FQD7N30TM Datová tabulka
FQD7N30TM Fotky
FQD7N30TM Cena
FQD7N30TM Nabídka
FQD7N30TM Nejnižší cena
FQD7N30TM Vyhledávání
FQD7N30TM Nákup
FQD7N30TM Chip