Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD7N20TF

FQD7N20TF

MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
Číslo dílu
FQD7N20TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
690 mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45090 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQD7N20TF
FQD7N20TF Elektronické komponenty
FQD7N20TF Odbyt
FQD7N20TF Dodavatel
FQD7N20TF Distributor
FQD7N20TF Datová tabulka
FQD7N20TF Fotky
FQD7N20TF Cena
FQD7N20TF Nabídka
FQD7N20TF Nejnižší cena
FQD7N20TF Vyhledávání
FQD7N20TF Nákup
FQD7N20TF Chip