FQD7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Číslo dílu
FQD7N20LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
750 mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51948 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD7N20LTM
FQD7N20LTM Elektronické komponenty
FQD7N20LTM Odbyt
FQD7N20LTM Dodavatel
FQD7N20LTM Distributor
FQD7N20LTM Datová tabulka
FQD7N20LTM Fotky
FQD7N20LTM Cena
FQD7N20LTM Nabídka
FQD7N20LTM Nejnižší cena
FQD7N20LTM Vyhledávání
FQD7N20LTM Nákup
FQD7N20LTM Chip