Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD6N60CTM

FQD6N60CTM

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Číslo dílu
FQD6N60CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
80W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9695 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQD6N60CTM
FQD6N60CTM Elektronické komponenty
FQD6N60CTM Odbyt
FQD6N60CTM Dodavatel
FQD6N60CTM Distributor
FQD6N60CTM Datová tabulka
FQD6N60CTM Fotky
FQD6N60CTM Cena
FQD6N60CTM Nabídka
FQD6N60CTM Nejnižší cena
FQD6N60CTM Vyhledávání
FQD6N60CTM Nákup
FQD6N60CTM Chip