FQD5P10TM
MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
Číslo dílu
FQD5P10TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7218 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD5P10TM
FQD5P10TM Elektronické komponenty
FQD5P10TM Odbyt
FQD5P10TM Dodavatel
FQD5P10TM Distributor
FQD5P10TM Datová tabulka
FQD5P10TM Fotky
FQD5P10TM Cena
FQD5P10TM Nabídka
FQD5P10TM Nejnižší cena
FQD5P10TM Vyhledávání
FQD5P10TM Nákup
FQD5P10TM Chip