FQD4P25TM-WS
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Číslo dílu
FQD4P25TM-WS
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16620 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD4P25TM-WS
FQD4P25TM-WS Elektronické komponenty
FQD4P25TM-WS Odbyt
FQD4P25TM-WS Dodavatel
FQD4P25TM-WS Distributor
FQD4P25TM-WS Datová tabulka
FQD4P25TM-WS Fotky
FQD4P25TM-WS Cena
FQD4P25TM-WS Nabídka
FQD4P25TM-WS Nejnižší cena
FQD4P25TM-WS Vyhledávání
FQD4P25TM-WS Nákup
FQD4P25TM-WS Chip