Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD4N25TM
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Číslo dílu
FQD4N25TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.75 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39333 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD4N25TM
FQD4N25TM Elektronické komponenty
FQD4N25TM Odbyt
FQD4N25TM Dodavatel
FQD4N25TM Distributor
FQD4N25TM Datová tabulka
FQD4N25TM Fotky
FQD4N25TM Cena
FQD4N25TM Nabídka
FQD4N25TM Nejnižší cena
FQD4N25TM Vyhledávání
FQD4N25TM Nákup
FQD4N25TM Chip