FQD3P50TM
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Číslo dílu
FQD3P50TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.9 Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45772 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD3P50TM
FQD3P50TM Elektronické komponenty
FQD3P50TM Odbyt
FQD3P50TM Dodavatel
FQD3P50TM Distributor
FQD3P50TM Datová tabulka
FQD3P50TM Fotky
FQD3P50TM Cena
FQD3P50TM Nabídka
FQD3P50TM Nejnižší cena
FQD3P50TM Vyhledávání
FQD3P50TM Nákup
FQD3P50TM Chip