Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD3N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Číslo dílu
FQD3N60CTM-WS
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
565pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48348 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD3N60CTM-WS
FQD3N60CTM-WS Elektronické komponenty
FQD3N60CTM-WS Odbyt
FQD3N60CTM-WS Dodavatel
FQD3N60CTM-WS Distributor
FQD3N60CTM-WS Datová tabulka
FQD3N60CTM-WS Fotky
FQD3N60CTM-WS Cena
FQD3N60CTM-WS Nabídka
FQD3N60CTM-WS Nejnižší cena
FQD3N60CTM-WS Vyhledávání
FQD3N60CTM-WS Nákup
FQD3N60CTM-WS Chip