Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD3N50CTM

FQD3N50CTM

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Číslo dílu
FQD3N50CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
365pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30887 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQD3N50CTM
FQD3N50CTM Elektronické komponenty
FQD3N50CTM Odbyt
FQD3N50CTM Dodavatel
FQD3N50CTM Distributor
FQD3N50CTM Datová tabulka
FQD3N50CTM Fotky
FQD3N50CTM Cena
FQD3N50CTM Nabídka
FQD3N50CTM Nejnižší cena
FQD3N50CTM Vyhledávání
FQD3N50CTM Nákup
FQD3N50CTM Chip