FQD2N90TF
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Číslo dílu
FQD2N90TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.2 Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20147 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD2N90TF
FQD2N90TF Elektronické komponenty
FQD2N90TF Odbyt
FQD2N90TF Dodavatel
FQD2N90TF Distributor
FQD2N90TF Datová tabulka
FQD2N90TF Fotky
FQD2N90TF Cena
FQD2N90TF Nabídka
FQD2N90TF Nejnižší cena
FQD2N90TF Vyhledávání
FQD2N90TF Nákup
FQD2N90TF Chip