Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD2N60TF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Číslo dílu
FQD2N60TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31317 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD2N60TF
FQD2N60TF Elektronické komponenty
FQD2N60TF Odbyt
FQD2N60TF Dodavatel
FQD2N60TF Distributor
FQD2N60TF Datová tabulka
FQD2N60TF Fotky
FQD2N60TF Cena
FQD2N60TF Nabídka
FQD2N60TF Nejnižší cena
FQD2N60TF Vyhledávání
FQD2N60TF Nákup
FQD2N60TF Chip