Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD2N60CTM
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Číslo dílu
FQD2N60CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25939 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD2N60CTM
FQD2N60CTM Elektronické komponenty
FQD2N60CTM Odbyt
FQD2N60CTM Dodavatel
FQD2N60CTM Distributor
FQD2N60CTM Datová tabulka
FQD2N60CTM Fotky
FQD2N60CTM Cena
FQD2N60CTM Nabídka
FQD2N60CTM Nejnižší cena
FQD2N60CTM Vyhledávání
FQD2N60CTM Nákup
FQD2N60CTM Chip