Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
Číslo dílu
FQD1P50TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.5 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20163 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD1P50TM
FQD1P50TM Elektronické komponenty
FQD1P50TM Odbyt
FQD1P50TM Dodavatel
FQD1P50TM Distributor
FQD1P50TM Datová tabulka
FQD1P50TM Fotky
FQD1P50TM Cena
FQD1P50TM Nabídka
FQD1P50TM Nejnižší cena
FQD1P50TM Vyhledávání
FQD1P50TM Nákup
FQD1P50TM Chip