Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD1N80TF
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Číslo dílu
FQD1N80TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42260 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD1N80TF
FQD1N80TF Elektronické komponenty
FQD1N80TF Odbyt
FQD1N80TF Dodavatel
FQD1N80TF Distributor
FQD1N80TF Datová tabulka
FQD1N80TF Fotky
FQD1N80TF Cena
FQD1N80TF Nabídka
FQD1N80TF Nejnižší cena
FQD1N80TF Vyhledávání
FQD1N80TF Nákup
FQD1N80TF Chip