Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD1N50TF
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Číslo dílu
FQD1N50TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 Ohm @ 550mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37051 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD1N50TF
FQD1N50TF Elektronické komponenty
FQD1N50TF Odbyt
FQD1N50TF Dodavatel
FQD1N50TF Distributor
FQD1N50TF Datová tabulka
FQD1N50TF Fotky
FQD1N50TF Cena
FQD1N50TF Nabídka
FQD1N50TF Nejnižší cena
FQD1N50TF Vyhledávání
FQD1N50TF Nákup
FQD1N50TF Chip