Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD19N10TM

FQD19N10TM

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Číslo dílu
FQD19N10TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11780 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQD19N10TM
FQD19N10TM Elektronické komponenty
FQD19N10TM Odbyt
FQD19N10TM Dodavatel
FQD19N10TM Distributor
FQD19N10TM Datová tabulka
FQD19N10TM Fotky
FQD19N10TM Cena
FQD19N10TM Nabídka
FQD19N10TM Nejnižší cena
FQD19N10TM Vyhledávání
FQD19N10TM Nákup
FQD19N10TM Chip