Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Číslo dílu
FQD19N10LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53627 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD19N10LTM
FQD19N10LTM Elektronické komponenty
FQD19N10LTM Odbyt
FQD19N10LTM Dodavatel
FQD19N10LTM Distributor
FQD19N10LTM Datová tabulka
FQD19N10LTM Fotky
FQD19N10LTM Cena
FQD19N10LTM Nabídka
FQD19N10LTM Nejnižší cena
FQD19N10LTM Vyhledávání
FQD19N10LTM Nákup
FQD19N10LTM Chip