Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Číslo dílu
FQD19N10LTF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17100 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD19N10LTF
FQD19N10LTF Elektronické komponenty
FQD19N10LTF Odbyt
FQD19N10LTF Dodavatel
FQD19N10LTF Distributor
FQD19N10LTF Datová tabulka
FQD19N10LTF Fotky
FQD19N10LTF Cena
FQD19N10LTF Nabídka
FQD19N10LTF Nejnižší cena
FQD19N10LTF Vyhledávání
FQD19N10LTF Nákup
FQD19N10LTF Chip