Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Číslo dílu
FQD18N20V2TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
140 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34584 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD18N20V2TM
FQD18N20V2TM Elektronické komponenty
FQD18N20V2TM Odbyt
FQD18N20V2TM Dodavatel
FQD18N20V2TM Distributor
FQD18N20V2TM Datová tabulka
FQD18N20V2TM Fotky
FQD18N20V2TM Cena
FQD18N20V2TM Nabídka
FQD18N20V2TM Nejnižší cena
FQD18N20V2TM Vyhledávání
FQD18N20V2TM Nákup
FQD18N20V2TM Chip