FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Číslo dílu
FQD17P06TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
135 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38306 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD17P06TM
FQD17P06TM Elektronické komponenty
FQD17P06TM Odbyt
FQD17P06TM Dodavatel
FQD17P06TM Distributor
FQD17P06TM Datová tabulka
FQD17P06TM Fotky
FQD17P06TM Cena
FQD17P06TM Nabídka
FQD17P06TM Nejnižší cena
FQD17P06TM Vyhledávání
FQD17P06TM Nákup
FQD17P06TM Chip