Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
Číslo dílu
FQD17N08LTF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12.9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 6.45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19215 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD17N08LTF
FQD17N08LTF Elektronické komponenty
FQD17N08LTF Odbyt
FQD17N08LTF Dodavatel
FQD17N08LTF Distributor
FQD17N08LTF Datová tabulka
FQD17N08LTF Fotky
FQD17N08LTF Cena
FQD17N08LTF Nabídka
FQD17N08LTF Nejnižší cena
FQD17N08LTF Vyhledávání
FQD17N08LTF Nákup
FQD17N08LTF Chip