FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Číslo dílu
FQD13N10LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53388 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD13N10LTM
FQD13N10LTM Elektronické komponenty
FQD13N10LTM Odbyt
FQD13N10LTM Dodavatel
FQD13N10LTM Distributor
FQD13N10LTM Datová tabulka
FQD13N10LTM Fotky
FQD13N10LTM Cena
FQD13N10LTM Nabídka
FQD13N10LTM Nejnižší cena
FQD13N10LTM Vyhledávání
FQD13N10LTM Nákup
FQD13N10LTM Chip