FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Číslo dílu
FQD13N06LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44037 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD13N06LTM
FQD13N06LTM Elektronické komponenty
FQD13N06LTM Odbyt
FQD13N06LTM Dodavatel
FQD13N06LTM Distributor
FQD13N06LTM Datová tabulka
FQD13N06LTM Fotky
FQD13N06LTM Cena
FQD13N06LTM Nabídka
FQD13N06LTM Nejnižší cena
FQD13N06LTM Vyhledávání
FQD13N06LTM Nákup
FQD13N06LTM Chip