Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
Číslo dílu
FQD12P10TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
290 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23264 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD12P10TM
FQD12P10TM Elektronické komponenty
FQD12P10TM Odbyt
FQD12P10TM Dodavatel
FQD12P10TM Distributor
FQD12P10TM Datová tabulka
FQD12P10TM Fotky
FQD12P10TM Cena
FQD12P10TM Nabídka
FQD12P10TM Nejnižší cena
FQD12P10TM Vyhledávání
FQD12P10TM Nákup
FQD12P10TM Chip