Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD12N20LTM-F085P
NMOS DPAK 200V 280 MOHM
Číslo dílu
FQD12N20LTM-F085P
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10949 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD12N20LTM-F085P
FQD12N20LTM-F085P Elektronické komponenty
FQD12N20LTM-F085P Odbyt
FQD12N20LTM-F085P Dodavatel
FQD12N20LTM-F085P Distributor
FQD12N20LTM-F085P Datová tabulka
FQD12N20LTM-F085P Fotky
FQD12N20LTM-F085P Cena
FQD12N20LTM-F085P Nabídka
FQD12N20LTM-F085P Nejnižší cena
FQD12N20LTM-F085P Vyhledávání
FQD12N20LTM-F085P Nákup
FQD12N20LTM-F085P Chip