Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Číslo dílu
FQD12N20LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5311 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQD12N20LTM
FQD12N20LTM Elektronické komponenty
FQD12N20LTM Odbyt
FQD12N20LTM Dodavatel
FQD12N20LTM Distributor
FQD12N20LTM Datová tabulka
FQD12N20LTM Fotky
FQD12N20LTM Cena
FQD12N20LTM Nabídka
FQD12N20LTM Nejnižší cena
FQD12N20LTM Vyhledávání
FQD12N20LTM Nákup
FQD12N20LTM Chip