Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD12N20LTF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Číslo dílu
FQD12N20LTF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35031 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD12N20LTF
FQD12N20LTF Elektronické komponenty
FQD12N20LTF Odbyt
FQD12N20LTF Dodavatel
FQD12N20LTF Distributor
FQD12N20LTF Datová tabulka
FQD12N20LTF Fotky
FQD12N20LTF Cena
FQD12N20LTF Nabídka
FQD12N20LTF Nejnižší cena
FQD12N20LTF Vyhledávání
FQD12N20LTF Nákup
FQD12N20LTF Chip