FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Číslo dílu
FQD11P06TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
185 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33961 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD11P06TM
FQD11P06TM Elektronické komponenty
FQD11P06TM Odbyt
FQD11P06TM Dodavatel
FQD11P06TM Distributor
FQD11P06TM Datová tabulka
FQD11P06TM Fotky
FQD11P06TM Cena
FQD11P06TM Nabídka
FQD11P06TM Nejnižší cena
FQD11P06TM Vyhledávání
FQD11P06TM Nákup
FQD11P06TM Chip