Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD11P06TF

FQD11P06TF

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Číslo dílu
FQD11P06TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
185 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21842 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQD11P06TF
FQD11P06TF Elektronické komponenty
FQD11P06TF Odbyt
FQD11P06TF Dodavatel
FQD11P06TF Distributor
FQD11P06TF Datová tabulka
FQD11P06TF Fotky
FQD11P06TF Cena
FQD11P06TF Nabídka
FQD11P06TF Nejnižší cena
FQD11P06TF Vyhledávání
FQD11P06TF Nákup
FQD11P06TF Chip