Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD10N20TF
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Číslo dílu
FQD10N20TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47732 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD10N20TF
FQD10N20TF Elektronické komponenty
FQD10N20TF Odbyt
FQD10N20TF Dodavatel
FQD10N20TF Distributor
FQD10N20TF Datová tabulka
FQD10N20TF Fotky
FQD10N20TF Cena
FQD10N20TF Nabídka
FQD10N20TF Nejnižší cena
FQD10N20TF Vyhledávání
FQD10N20TF Nákup
FQD10N20TF Chip