FQB8N90CTM
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
Číslo dílu
FQB8N90CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
171W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11739 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB8N90CTM
FQB8N90CTM Elektronické komponenty
FQB8N90CTM Odbyt
FQB8N90CTM Dodavatel
FQB8N90CTM Distributor
FQB8N90CTM Datová tabulka
FQB8N90CTM Fotky
FQB8N90CTM Cena
FQB8N90CTM Nabídka
FQB8N90CTM Nejnižší cena
FQB8N90CTM Vyhledávání
FQB8N90CTM Nákup
FQB8N90CTM Chip