Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB6N80TM

FQB6N80TM

MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Číslo dílu
FQB6N80TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36280 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQB6N80TM
FQB6N80TM Elektronické komponenty
FQB6N80TM Odbyt
FQB6N80TM Dodavatel
FQB6N80TM Distributor
FQB6N80TM Datová tabulka
FQB6N80TM Fotky
FQB6N80TM Cena
FQB6N80TM Nabídka
FQB6N80TM Nejnižší cena
FQB6N80TM Vyhledávání
FQB6N80TM Nákup
FQB6N80TM Chip