Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB6N70TM

FQB6N70TM

MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Číslo dílu
FQB6N70TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8602 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQB6N70TM
FQB6N70TM Elektronické komponenty
FQB6N70TM Odbyt
FQB6N70TM Dodavatel
FQB6N70TM Distributor
FQB6N70TM Datová tabulka
FQB6N70TM Fotky
FQB6N70TM Cena
FQB6N70TM Nabídka
FQB6N70TM Nejnižší cena
FQB6N70TM Vyhledávání
FQB6N70TM Nákup
FQB6N70TM Chip