FQB1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Číslo dílu
FQB1P50TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14547 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB1P50TM
FQB1P50TM Elektronické komponenty
FQB1P50TM Odbyt
FQB1P50TM Dodavatel
FQB1P50TM Distributor
FQB1P50TM Datová tabulka
FQB1P50TM Fotky
FQB1P50TM Cena
FQB1P50TM Nabídka
FQB1P50TM Nejnižší cena
FQB1P50TM Vyhledávání
FQB1P50TM Nákup
FQB1P50TM Chip