FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Číslo dílu
FQB19N20LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
140 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20397 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB19N20LTM
FQB19N20LTM Elektronické komponenty
FQB19N20LTM Odbyt
FQB19N20LTM Dodavatel
FQB19N20LTM Distributor
FQB19N20LTM Datová tabulka
FQB19N20LTM Fotky
FQB19N20LTM Cena
FQB19N20LTM Nabídka
FQB19N20LTM Nejnižší cena
FQB19N20LTM Vyhledávání
FQB19N20LTM Nákup
FQB19N20LTM Chip