Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB19N20CTM
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Číslo dílu
FQB19N20CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 139W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33282 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB19N20CTM
FQB19N20CTM Elektronické komponenty
FQB19N20CTM Odbyt
FQB19N20CTM Dodavatel
FQB19N20CTM Distributor
FQB19N20CTM Datová tabulka
FQB19N20CTM Fotky
FQB19N20CTM Cena
FQB19N20CTM Nabídka
FQB19N20CTM Nejnižší cena
FQB19N20CTM Vyhledávání
FQB19N20CTM Nákup
FQB19N20CTM Chip