Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB19N10TM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Číslo dílu
FQB19N10TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12637 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB19N10TM
FQB19N10TM Elektronické komponenty
FQB19N10TM Odbyt
FQB19N10TM Dodavatel
FQB19N10TM Distributor
FQB19N10TM Datová tabulka
FQB19N10TM Fotky
FQB19N10TM Cena
FQB19N10TM Nabídka
FQB19N10TM Nejnižší cena
FQB19N10TM Vyhledávání
FQB19N10TM Nákup
FQB19N10TM Chip