Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB13N10TM
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Číslo dílu
FQB13N10TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53100 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB13N10TM
FQB13N10TM Elektronické komponenty
FQB13N10TM Odbyt
FQB13N10TM Dodavatel
FQB13N10TM Distributor
FQB13N10TM Datová tabulka
FQB13N10TM Fotky
FQB13N10TM Cena
FQB13N10TM Nabídka
FQB13N10TM Nejnižší cena
FQB13N10TM Vyhledávání
FQB13N10TM Nákup
FQB13N10TM Chip