Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Číslo dílu
FQB13N06LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37974 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB13N06LTM
FQB13N06LTM Elektronické komponenty
FQB13N06LTM Odbyt
FQB13N06LTM Dodavatel
FQB13N06LTM Distributor
FQB13N06LTM Datová tabulka
FQB13N06LTM Fotky
FQB13N06LTM Cena
FQB13N06LTM Nabídka
FQB13N06LTM Nejnižší cena
FQB13N06LTM Vyhledávání
FQB13N06LTM Nákup
FQB13N06LTM Chip