Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB12P20TM
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Číslo dílu
FQB12P20TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
470 mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23161 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB12P20TM
FQB12P20TM Elektronické komponenty
FQB12P20TM Odbyt
FQB12P20TM Dodavatel
FQB12P20TM Distributor
FQB12P20TM Datová tabulka
FQB12P20TM Fotky
FQB12P20TM Cena
FQB12P20TM Nabídka
FQB12P20TM Nejnižší cena
FQB12P20TM Vyhledávání
FQB12P20TM Nákup
FQB12P20TM Chip