Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB12P10TM
MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
Číslo dílu
FQB12P10TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
290 mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27414 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB12P10TM
FQB12P10TM Elektronické komponenty
FQB12P10TM Odbyt
FQB12P10TM Dodavatel
FQB12P10TM Distributor
FQB12P10TM Datová tabulka
FQB12P10TM Fotky
FQB12P10TM Cena
FQB12P10TM Nabídka
FQB12P10TM Nejnižší cena
FQB12P10TM Vyhledávání
FQB12P10TM Nákup
FQB12P10TM Chip