Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB11P06TM
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Číslo dílu
FQB11P06TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 53W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
175 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29834 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB11P06TM
FQB11P06TM Elektronické komponenty
FQB11P06TM Odbyt
FQB11P06TM Dodavatel
FQB11P06TM Distributor
FQB11P06TM Datová tabulka
FQB11P06TM Fotky
FQB11P06TM Cena
FQB11P06TM Nabídka
FQB11P06TM Nejnižší cena
FQB11P06TM Vyhledávání
FQB11P06TM Nákup
FQB11P06TM Chip